霍尔传感器原理介绍

2026-10-05

1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。 2、原理简述如下:激励电流I从a、b端流入,磁场B由正上方作用于薄片,这时电子e的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力FL的作用,向内侧偏移,该侧形成电子的堆积,从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多,FE也越大,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。 3...

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霍尔传感器原理

2026-08-23

1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。 2、原理简述如下:激励电流I从a、b端流入,磁场B由正上方作用于薄片,这时电子e的运动方向与电流方向相反,将受到洛仑兹力FL的作用,向内侧偏移,该侧形成电子的堆积,从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多,FE也越大,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。 3...

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