irf540场效应管参数
irf540n参数列表如下： 晶体管极性:N沟道 漏极电流，Id最大值:33A 电压，Vds最大:100V 开态电阻，Rds(on):0.04ohm 电压@Rds丈量:10V 电压，Vgs最高:10V 功耗:94W 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 功率，Pd:120W 器材符号:IRF540N 引脚节距:2.54mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度@电流丈量:25°C 满功率温度:25°C 热阻，结至外壳A:1.1°C/W ...
irf540n参数列表如下： 晶体管极性:N沟道 漏极电流，Id最大值:33A 电压，Vds最大:100V 开态电阻，Rds(on):0.04ohm 电压@Rds丈量:10V 电压，Vgs最高:10V 功耗:94W 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 功率，Pd:120W 器材符号:IRF540N 引脚节距:2.54mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度@电流丈量:25°C 满功率温度:25°C 热阻，结至外壳A:1.1°C/W ...