irf540场效应管参数

irf540n参数列表如下：

晶体管极性:N沟道

漏极电流，Id最大值:33A

电压，Vds最大:100V

开态电阻，Rds(on):0.04ohm

电压@Rds丈量:10V

电压，Vgs最高:10V

功耗:94W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率，Pd:120W

器材符号:IRF540N

引脚节距:2.54mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度@电流丈量:25°C

满功率温度:25°C

热阻，结至外壳A:1.1°C/W

电压Vgs@Rdson丈量:10V

电压，Vds典型值:100V

电流，Id接连:27A

电流，Idm脉冲:110A

阈值电压，Vgsth典型值:4V